MYS10

MYS Series – MYS10 ລະບົບ Plasma
ຈັດການຢ່າງງ່າຍດາຍຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປິ່ນປົວພື້ນຜິວ
ດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາຂອງຕະຫຼາດປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກແລະ semiconductor, ຄວາມຕ້ອງການອຸດສາຫະກໍາສໍາລັບປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຍັງສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ. ໂດຍການກໍາຈັດເວລາລໍຖ້າທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປຸງແຕ່ງ plasma ສູນຍາກາດແບບດັ້ງເດີມ, ລະບົບທໍາຄວາມສະອາດຊຸດ MYS ສົ່ງຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດໂດຍລວມ, ໃນຂະນະທີ່ຮັບປະກັນການຈັດການທີ່ປອດໄພຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ລະອຽດອ່ອນທັງຫມົດ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

CKD Technology ບໍ່ພຽງແຕ່ມີເຄື່ອງຈັກໃຫມ່ໃນສະຕັອກ, ສາມາດໃຊ້ໄດ້ທັນທີ.

ພວກເຮົາຍັງມີທຸລະກິດໃຫ້ເຊົ່າລາຍລະອຽດ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດສະເພາະຂອງທ່ານໃນຂະນະທີ່ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍການລົງທຶນເບື້ອງຕົ້ນຂອງທ່ານ. ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາສໍາລັບລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ.

CKD ມີທີມງານວິສະວະກອນມືອາຊີບ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການ turnkey.

ສໍາລັບການຊື້ຂາຍເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ແລ້ວ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາຜ່ານ Whatspp ຫຼືອີເມລ໌.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------

ຄຸນນະສົມບັດຜະລິດຕະພັນ

ຊຸດ MYS10 ເປັນລະບົບການປະມວນຜົນ plasma ອັດຕະໂນມັດເຕັມຮູບແບບທີ່ພັດທະນາສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນຂະແຫນງການເຊັ່ນ: semiconductors, ເອເລັກໂຕຣນິກ, SMT, optoelectronics, ແລະເຕັກໂນໂລຊີທາງການແພດ.

• ລະບົບ plasma argon ຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ

• 100mm-wide in-line batch processing plasma; ສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງກວ່າ 2-5 ເທົ່າແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການດໍາເນີນງານຕ່ໍາກວ່າ 30% ເມື່ອທຽບກັບວິທີການແບບດັ້ງເດີມ

• 100% plasma ເປັນກາງ; ປອດໄພ ແລະອ່ອນໂຍນຕໍ່ອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກທີ່ລະອຽດອ່ອນ—ບໍ່ກໍ່ໃຫ້ເກີດການລະເບີດໃນ plasma, ໄຟຟ້າສະຖິດ, sparks, arcs, ຂີ້ຝຸ່ນ, ຄວາມຮ້ອນສູງ, ripples ດ້ານ, ຫຼືລັງສີ UV, ຮັບປະກັນບໍ່ຄວາມເສຍຫາຍຕໍ່ຜະລິດຕະພັນ.

•ແພລະຕະຟອມ plasma ຫນາແຫນ້ນທີ່ສະເຫນີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ສູງ

• ຂະບວນການເຄມີອະເນກປະສົງ: ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນອິນຊີ; ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການຖອນອອກໄຊໂລຫະແລະການກະຕຸ້ນຫນ້າຜະລິດຕະພັນ

• ບໍ່ມີການສ້າງອະນຸພາກ ຫຼືຂອງແຫຼວປົນເປື້ອນ

MYS10

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະພື້ນຖານ	MYS10
ຄວາມຕ້ອງການພະລັງງານ	AC 200–240V, 4.4kW, 20A, 50/60Hz
ຄວາມຕ້ອງການຄວາມກົດດັນທາງອາກາດ	90 psi (6 bar)
ຂະໜາດ	790 x 1200 x 1880 ມມ
ນ້ຳໜັກ	800 ກິໂລ
ມາດຕະຖານການຢັ້ງຢືນ	CE, SEMI S2
ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການຈັດຕໍາແຫນ່ງ	XY: ±30 µm @ 3σ ; Z: ±10 µm @ 3σ
ຄວາມສາມາດໃນການເຮັດເລື້ມຄືນຂອງແກນ XYZ	XY: ±15 µm @ 3σ ; Z: ±5 µm @ 3σ
ຄວາມໄວສູງສຸດ	1000 ມມ/ວິ (XY)
ການເລັ່ງ	1.0g
ລະບົບຂັບ	AC servo
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງເວທີການເຮັດວຽກ
ປະເພດການຕິດຕາມ	ສາຍແອວ
ຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດທາງລົດໄຟ	3 ກິໂລ
ລະດັບຄວາມໜາຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນ (ບໍ່ມີຕົວບັນຈຸ)	0.5–6 ມມ
ການເດີນທາງແກນ Z	100 ມມ
ສູງສຸດ. ຄວາມສູງຂອງອົງປະກອບ (ດ້ານເທິງ)	26 ມມ
ສູງສຸດ. ຄວາມສູງຂອງອົງປະກອບ (ດ້ານລຸ່ມ)	23 ມມ
ອະນຸສັນຍາການສື່ສານ	SMEMA
ຂອບເຂດການເຮັດວຽກ
ພື້ນທີ່ການປິ່ນປົວ Plasma (W × D)	350–475 ມມ
ມຸມຕິດຕໍ່ນ້ໍາ (WCA) ຫຼັງຈາກການປິ່ນປົວ plasma	WCA <10° (ຊິລິຄອນ wafer) WCA < 20° (ບໍ່ແມ່ນໂລຫະ)
ວິທີການປິ່ນປົວ plasma	ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນທາງອິນຊີ ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການໂຍກຍ້າຍໂລຫະ oxide
ຄວາມຕ້ອງການລະບົບ Plasma
ພະລັງງານ RF	600W ທີ່ 27.12MHz
ອາຍແກັສ Plasma ຫຼັກ	ອາກອນ
ອາຍແກັສຂະບວນການ	O2, N2, ຫຼື H2
ລະດັບຄວາມດັນຂອງການສະຫນອງອາຍແກັສ	40–100 psi (0.3–0.7 MPa)