MYS10iL

MYS Series – MYS10iL ລະບົບ Plasma
ຈັດການການປິ່ນປົວພື້ນຜິວໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍສໍາລັບຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຮູບແບບຂະຫນາດໃຫຍ່
ດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາຂອງຕະຫຼາດປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກແລະ semiconductor, ຄວາມຕ້ອງການອຸດສາຫະກໍາສໍາລັບປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຍັງສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ. ໂດຍການກໍາຈັດເວລາລໍຖ້າທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປຸງແຕ່ງ plasma ສູນຍາກາດແບບດັ້ງເດີມ, ລະບົບທໍາຄວາມສະອາດຊຸດ MYS ສົ່ງຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດໂດຍລວມ, ໃນຂະນະທີ່ຮັບປະກັນການຈັດການທີ່ປອດໄພຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ລະອຽດອ່ອນທັງຫມົດ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

CKD Technology ບໍ່ພຽງແຕ່ມີເຄື່ອງຈັກໃຫມ່ໃນສະຕັອກ, ສາມາດໃຊ້ໄດ້ທັນທີ.

ພວກເຮົາຍັງມີທຸລະກິດໃຫ້ເຊົ່າລາຍລະອຽດ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດສະເພາະຂອງທ່ານໃນຂະນະທີ່ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍການລົງທຶນເບື້ອງຕົ້ນຂອງທ່ານ. ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາສໍາລັບລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ.

CKD ມີທີມງານວິສະວະກອນມືອາຊີບ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການ turnkey.

ສໍາລັບການຊື້ຂາຍເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ແລ້ວ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາຜ່ານ Whatspp ຫຼືອີເມລ໌.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------

ຄຸນນະສົມບັດຜະລິດຕະພັນ

ຊຸດ MYS10iL ເປັນລະບົບການປະມວນຜົນ plasma ອັດຕະໂນມັດເຕັມຮູບແບບທີ່ພັດທະນາສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນທົ່ວຂະແຫນງການຕ່າງໆ, ລວມທັງ semiconductors, ເອເລັກໂຕຣນິກ, SMT, optoelectronics, ແລະເຕັກໂນໂລຊີທາງການແພດ.

• ລະບົບ plasma argon ຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ

• 100mm-wide inline batch processing plasma; ສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງກວ່າ 2-5 ເທົ່າແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການດໍາເນີນງານຕ່ໍາກວ່າ 30% ເມື່ອທຽບກັບວິທີການແບບດັ້ງເດີມ

• 100% plasma ເປັນກາງ; ປອດໄພ ແລະອ່ອນໂຍນຕໍ່ອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກທີ່ອ່ອນໄຫວ - ບໍ່ມີການລະເບີດໃນ plasma, ໄຟຟ້າສະຖິດ, sparks, arcs, ຝຸ່ນ, ອຸນຫະພູມສູງ, ripples ດ້ານ, ຫຼື radiation UV.

• ຂະບວນການເຄມີອະເນກປະສົງ: ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນອິນຊີ; ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການຖອນອອກໄຊໂລຫະແລະການກະຕຸ້ນຫນ້າຜະລິດຕະພັນ

• ບໍ່ກໍ່ໃຫ້ເກີດການປົນເປື້ອນຂອງຝຸ່ນ ຫຼືຂອງແຫຼວໃນຜະລິດຕະພັນ

MYS10iL

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ຕົວກໍານົດການພື້ນຖານ	MYS10iL
ຄວາມຕ້ອງການພະລັງງານ	AC 200~240V, 4.5kW, 20A, 50/60Hz
ຄວາມຕ້ອງການຄວາມກົດດັນທາງອາກາດ	90 psi (6bar)
ຂະໜາດ	1000 x 1500 x 1550 ມມ
ນ້ຳໜັກ	1050kg
ການຢັ້ງຢືນ	CE
ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການຈັດຕໍາແຫນ່ງ	XY: ±50µm @ 3σ; Z: ±10µm @ 3σ
XYZ-Axis Repeatability	XY: ±25µm @ 3σ; Z: ±5µm @ 3σ
ຄວາມໄວສູງສຸດ	1000mm/s (XY)
ການເລັ່ງ	1.0g
ລະບົບຂັບ	AC servo
ຕົວກໍານົດການຂອງເວທີການເຮັດວຽກ
ປະເພດລໍາລຽງ	ສາຍແອວ
ຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດຂອງລໍາລຽງ	3ກກ
ຊ່ວງຄວາມໜາຂອງ PCB (ບໍ່ມີສາຍສົ່ງ)	0.5–6 ມມ
ການເດີນທາງ Z-Axis	60 ມມ
ສູງສຸດ. ຄວາມສູງຂອງອົງປະກອບ (ດ້ານເທິງ)	45ມມ
ສູງສຸດ. ຄວາມສູງຂອງອົງປະກອບ (ດ້ານລຸ່ມ)	23ມມ
ອະນຸສັນຍາການສື່ສານ	SMEMA
ຊ່ວງການເຮັດວຽກ
ບໍລິເວນການປິ່ນປົວ Plasma (W×D)	550–760 ມມ
ມຸມຕິດຕໍ່ນ້ໍາ (WCA) ຫຼັງຈາກການປິ່ນປົວ plasma	WCA <10° (ຊິລິຄອນ wafer) WCA <20° (ວັດສະດຸທີ່ບໍ່ແມ່ນໂລຫະ)
ວິທີການປິ່ນປົວ plasma	ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນທາງອິນຊີ ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການໂຍກຍ້າຍໂລຫະ oxide
ຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນລະບົບ Plasma
ພະລັງງານ RF	600W ທີ່ 27.12MHz
ອາຍແກັສ plasma ຕົ້ນຕໍ	ອາກອນ
ອາຍແກັສຂະບວນການ	O2, N2, ຫຼື H2
ລະດັບຄວາມກົດດັນຂອງການສະຫນອງອາຍແກັສ	40–100 psi (0.3–0.7 MPa)