MYW10

MYS Series – MYW10 ລະບົບ Plasma
ເຮັດໃຫ້ຂະບວນການຮັກສາພື້ນຜິວ wafer ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສູງ, ໂດຍຜ່ານຄວາມໄວສູງ
ດ້ວຍການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາຂອງຕະຫຼາດປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກແລະ semiconductor, ຄວາມຕ້ອງການອຸດສາຫະກໍາສໍາລັບປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຍັງສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ. ໂດຍການລົບລ້າງເວລາລໍຖ້າທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການປຸງແຕ່ງ plasma ທີ່ອີງໃສ່ສູນຍາກາດແບບດັ້ງເດີມ, ອຸປະກອນທໍາຄວາມສະອາດຊຸດ MYS ສະຫນອງການຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດໂດຍລວມ, ໃນຂະນະທີ່ຮັບປະກັນການຈັດການທີ່ປອດໄພຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ລະອຽດອ່ອນທັງຫມົດ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

CKD Technology ບໍ່ພຽງແຕ່ມີເຄື່ອງຈັກໃຫມ່ໃນສະຕັອກ, ສາມາດໃຊ້ໄດ້ທັນທີ.

ພວກເຮົາຍັງມີທຸລະກິດໃຫ້ເຊົ່າລາຍລະອຽດ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດສະເພາະຂອງທ່ານໃນຂະນະທີ່ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍການລົງທຶນເບື້ອງຕົ້ນຂອງທ່ານ. ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາສໍາລັບລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ.

CKD ມີທີມງານວິສະວະກອນມືອາຊີບ, ພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ບໍລິການ turnkey.

ສໍາລັບການຊື້ຂາຍເຄື່ອງຈັກທີ່ໃຊ້ແລ້ວ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາຜ່ານ Whatspp ຫຼືອີເມລ໌.

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------

ຄຸນນະສົມບັດຜະລິດຕະພັນ

ລະບົບ MYW10 plasma ສະຫນອງຂະບວນການຮັກສາພື້ນຜິວ wafer ທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນສູງ.

• ລະບົບ plasma argon ຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ

•ການປະມວນຜົນ batch plasma inline ກວ້າງ 100mm; ສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງກວ່າ 2-5 ເທົ່າແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການດໍາເນີນງານຕ່ໍາກວ່າ 30% ເມື່ອທຽບກັບວິທີການແບບດັ້ງເດີມ

• 100% plasma ເປັນກາງ; ປອດໄພ ແລະອ່ອນໂຍນຕໍ່ອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກທີ່ອ່ອນໄຫວ - ບໍ່ມີການລະເບີດໃນ plasma, ໄຟຟ້າສະຖິດ, sparks, arcing, ຂີ້ຝຸ່ນ, ຄວາມຮ້ອນສູງ, ripples ດ້ານ, ຫຼືລັງສີ UV, ຮັບປະກັນຄວາມເສຍຫາຍສູນກັບຜະລິດຕະພັນ.

• ຂະບວນການເຄມີອະເນກປະສົງ: ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນອິນຊີ; ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການຖອນອອກໄຊໂລຫະແລະການກະຕຸ້ນຫນ້າຜະລິດຕະພັນ

• ບໍ່ເຮັດໃຫ້ເກີດການປົນເປື້ອນຂອງອະນຸພາກ ຫຼືການປ່ຽນແປງຂອງຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວເທິງ wafer

•ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບທັງສອງ wafer ແລະການຜະລິດກອບ tape, ອະນຸຍາດໃຫ້ສໍາລັບການສະຫຼັບຢ່າງໄວວາລະຫວ່າງສອງ

• ຕອບສະໜອງໄດ້ມາດຕະຖານຫ້ອງສະອາດ 10 ແລະ SEMI

MYW10

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ຕົວກໍານົດການພື້ນຖານ	MYW10
ຄວາມຕ້ອງການພະລັງງານ	AC 380V, 13kW, 20A, 50/60Hz
ຄວາມຕ້ອງການຄວາມກົດດັນທາງອາກາດ	90 psi (6bar)
ຂະໜາດ	2000 x 2800 x 2200 ມມ
ນ້ຳໜັກ	2200 ກິໂລ
ມາດຕະຖານການຢັ້ງຢືນ	SEMI S2/S6/S8
ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການຈັດຕໍາແຫນ່ງ	XY: ±20 µm @ 3σ ; Z: ±10 µm @ 3σ
XYZ-Axis Repeatability	XY: ±10 µm @ 3σ ; Z: ±5 µm @ 3σ
ຄວາມໄວສູງສຸດ	1000 ມມ/ວິ (XY)
ການເລັ່ງ	1.0g
ລະບົບຂັບ	AC servo
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງເວທີການເຮັດວຽກ
ວິທີການໂຫຼດ/ການໂຫຼດ	OHT + Load Port + Robotic Arm
ການໂຫຼດແຂນຫຸ່ນຍົນ	3 ກິໂລ
ຂະຫນາດ Wafer ເຂົ້າກັນໄດ້	12 ນິ້ວ (300 ມມ)
ລະບົບປະຕິບັດການຊອບແວ	Windows 10
ການເດີນທາງ X/Y	400 ມມ / 500 ມມ
ການເດີນທາງ Z-Axis	20 ມມ
ອະນຸສັນຍາການສື່ສານ	SECS/GEM
ຂອບເຂດການປະຕິບັດ
ບໍລິເວນການປິ່ນປົວ Plasma (W×D)	300×300ມມ
ມຸມຕິດຕໍ່ນໍ້າຫຼັງການປິ່ນປົວ (WCA)	WCA <10° (ຊິລິຄອນ wafer)
ວິທີການປິ່ນປົວ plasma	ຂະບວນການ O2 ສໍາລັບການກໍາຈັດສິ່ງປົນເປື້ອນທາງອິນຊີ ຂະບວນການ H2 ສໍາລັບການໂຍກຍ້າຍໂລຫະ oxide
ຄວາມຕ້ອງການລະບົບ Plasma
ພະລັງງານ RF	600W ທີ່ 27.12MHz
ອາຍແກັສ Plasma ຫຼັກ	ອາກອນ
ອາຍແກັສຂະບວນການ	O2, N2, ຫຼື H2
ລະດັບຄວາມດັນຂອງການສະຫນອງອາຍແກັສ	40–100 psi (0.3–0.7 MPa)